Anchooor
Samsung e Broadcom assinam MOU de mais de US$200 bilhões para ligar oferta de memória e chips de 2 nm
O pacto busca garantir o fornecimento de memória de alta largura de banda de longo prazo ao encaminhar o trabalho de ASICs de IA da Broadcom para as fábricas de 2 nm e sub-2 nm da Samsung.
Um memorando de entendimento assinado na segunda-feira, 27 de julho de 2026, compromete mais de US$200 bilhões de cooperação até 2030 com foco em memória de alta largura de banda, trabalho de foundry da Samsung em 2nm e abaixo, e possível empacotamento avançado 2.3D/2.5D.
As empresas dizem que a Samsung vai fornecer HBM para os aceleradores de IA de próxima geração da Broadcom e produzir ASICs da Broadcom em seus nodos de processo de ponta de 2nm e sub-2nm.
O J.P. Morgan publicou um cenário otimista que viu potencial de receita cumulativa de IA da Broadcom acima de US$1 trilhão, e as ações da Broadcom subiram cerca de 2,1% no pré-mercado após o anúncio.
Analistas do setor alertam que o mercado de memória enfrenta um aperto que pode piorar em 2027–2028, o que explica o impulso comercial por contratos de fornecimento de longo prazo, mas também eleva riscos de entrega e de precificação.
O acordo é um impulso estratégico para o esforço de foundry da Samsung contra a TSMC, mas continua sendo um MOU com detalhes-chave de execução, como alocação de capacidade, locais de fábricas, energia e financiamento, a serem finalizados.