ASML e TSMC anunciam mudança para máscaras de 12 polegadas para EUV High‑NA
Objetivo é aumentar produtividade dos scanners e eliminar limites de 'stitching' para viabilizar chips maiores e mais densos de IA e memória
ASML e TSMC divulgaram nesta terça-feira uma iniciativa conjunta para migrar de fotomáscaras de 6 polegadas para 12 polegadas, com uma linha‑piloto de 12 polegadas prevista para 2031 e prontidão para produção em 2033.
A TSMC começará a usar as ferramentas High‑NA EUV da ASML em produção em grande volume para nós avançados em 2030; a Samsung se comprometeu a produzir DRAM em massa com High‑NA até 2028; e a Intel já usa High‑NA em camadas selecionadas na produção hoje.
High‑NA EUV aumenta a resolução óptica ao elevar a abertura numérica, o que permite ao scanner imprimir recursos mais finos em uma única exposição. Em máscaras de 6 polegadas, porém, isso reduz pela metade o campo de exposição, criando limites de 'stitching' que as máscaras de 12 polegadas eliminariam.
Cada sistema High‑NA custa aproximadamente US$350–US$400 milhões, e a ASML é a única fornecedora comercial. Por isso, pedidos de máquinas, cronogramas de entrega e os planos da ASML para aumentar capacidade são fatores centrais para financiar e cumprir o roteiro.
A transição exige anos de atualizações em blanks de máscara, writers, películas (pellicles), inspeção de defeitos, EDA e automação de fábrica; assim, a adoção dependerá de investimentos do ecossistema, da prontidão dos fornecedores e da validação bem‑sucedida nas fases piloto.